N-kanals transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-kanals transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
25.70kr
5-24
21.92kr
25-49
19.28kr
50-99
17.30kr
100+
14.73kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 69

N-kanals transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1138pF. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 122pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P7NK80Z. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Spec info: Zener-Protected. Td(av): 45 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP7NK80Z
28 parametrar
ID (T=100°C)
3.3A
ID (T=25°C)
5.2A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
1.5 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1138pF
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
122pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P7NK80Z
Pd (effektförlust, max)
125W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Spec info
Zener-Protected
Td(av)
45 ns
Td(på)
20 ns
Teknik
SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
530 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics