N-kanals transistor STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

N-kanals transistor STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.10kr
5-24
30.39kr
25-49
26.65kr
50-99
23.47kr
100+
19.25kr
Antal i lager: 39

N-kanals transistor STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.56 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 23.2A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P6NK90Z. Pd (effektförlust, max): 140W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 840 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP6NK90Z
33 parametrar
ID (T=100°C)
3.65A
ID (T=25°C)
5.8A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
1.56 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
23.2A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
130pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P6NK90Z
Pd (effektförlust, max)
140W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
45 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
SuperMESH Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
840 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics