N-kanals transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.81kr
5-24
15.29kr
25-49
13.37kr
50-99
12.21kr
100+
10.67kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 68

N-kanals transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 905pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 115pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P6NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 32W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP6NK60ZFP
29 parametrar
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
1 Ohm
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
905pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kostnad)
115pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P6NK60ZFP
Pd (effektförlust, max)
32W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
47 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
SuperMESH Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
445 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP6NK60ZFP