N-kanals transistor STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (Drain to Source Voltage): 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Hölje: TO-220. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1 Ohm. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 905pF. Drag: -. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 4A. Information: -. Kanaltyp: N. Kostnad): 115pF. Körspänning: 10V. MSL: -. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: THT. Märkning på höljet: P6NK60Z. Pd (effektförlust, max): 104W. Polaritet: MOSFET N. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Rds on (max) @ id, vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. RoHS: ja. Serie: SuperMESH. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58