N-kanals transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

N-kanals transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.65kr
5-24
32.03kr
25-49
29.15kr
50-99
26.69kr
100+
23.39kr
Antal i lager: 5

N-kanals transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Resistans Rds På: 12.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 33V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1330pF. Funktion: helt skyddad. G-S Skydd: ja. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Id(imp): 248A. Kanaltyp: N. Kostnad): 420pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P62NS04Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Port-/källspänning Vgs: 10V. RoHS: ja. Td(av): 41 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP62NS04Z
30 parametrar
ID (T=100°C)
37.5A
ID (T=25°C)
62A
Idss
0.01mA
Idss (max)
62A
Resistans Rds På
12.5m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
33V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1330pF
Funktion
helt skyddad
G-S Skydd
ja
Grind/källa spänning (av) min.
2V
Id(imp)
248A
Kanaltyp
N
Kostnad)
420pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P62NS04Z
Pd (effektförlust, max)
110W
Port-/källspänning Vgs
10V
RoHS
ja
Td(av)
41 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
MESH OVERLAY™ Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
45 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics