N-kanals transistor STP60NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

N-kanals transistor STP60NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.91kr
5-24
12.91kr
25-49
11.33kr
50-99
9.98kr
100+
8.20kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 48

N-kanals transistor STP60NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1810pF. Driftstemperatur: -65...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kostnad): 360pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 110W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Temperatur: +175°C. Trr-diod (Min.): 73ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP60NF06
31 parametrar
ID (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
60A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.014 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1810pF
Driftstemperatur
-65...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
240A
Kanaltyp
N
Kostnad)
360pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
110W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Td(av)
43 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance
Temperatur
+175°C
Trr-diod (Min.)
73ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP60NF06