N-kanals transistor STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Drain-source spänning (Vds): 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 910pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 110W. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 17.2A. Kanaltyp: N. Kostnad): 98pF. Max dräneringsström: 4.3A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P5NK80Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24