N-kanals transistor STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 400pF. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 13.2A. Kanaltyp: N. Kostnad): 57pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P3NB60. Pd (effektförlust, max): 80W. Td(av): 11 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24