N-kanals transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

N-kanals transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.46kr
5-24
17.14kr
25-49
15.13kr
50-99
13.23kr
100+
10.66kr
Antal i lager: 37

N-kanals transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1180pF. Diod tröskelspänning: 1.3V. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 115W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Låg inmatningsavgift. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 110us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP30NF10
33 parametrar
ID (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
35A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.038 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1180pF
Diod tröskelspänning
1.3V
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
180pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
115W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Låg inmatningsavgift
Td(av)
45 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
110us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics