N-kanals transistor STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 115pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 26NM60N. Pd (effektförlust, max): 140W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Låg ingångskapacitans och grindladdning. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24