N-kanals transistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
79.74kr
5-24
71.96kr
25-49
66.70kr
50-99
62.73kr
100+
56.88kr
Antal i lager: 21

N-kanals transistor STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1500pF. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 350pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P20NM60FP. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MDmesh™ MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP20NM60FP
31 parametrar
ID (T=100°C)
12.6A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.025 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1500pF
Funktion
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltyp
N
Kostnad)
350pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P20NM60FP
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
6 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
MDmesh™ MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
390 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics