N-kanals transistor STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1300pF. Funktion: Låg portkapacitans. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kostnad): 500pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P20NM60FD. Pd (effektförlust, max): 192W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(av): 8 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24