N-kanals transistor STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3M Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 5100pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: byte, bilapplikationer. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 480A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1270pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 200N4F3. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: STripFET™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24