N-kanals transistor STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

N-kanals transistor STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.75kr
5-24
10.13kr
25-49
8.81kr
50-99
7.93kr
100+
6.57kr
Antal i lager: 73

N-kanals transistor STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 315pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Exceptionell dv/dt-kapacitet, låg grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 64A. Kanaltyp: N. Kostnad): 70pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P16NF06. Pd (effektförlust, max): 45W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(av): 7 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP16NF06
32 parametrar
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
16A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.08 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
315pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Exceptionell dv/dt-kapacitet, låg grindladdning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
64A
Kanaltyp
N
Kostnad)
70pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P16NF06
Pd (effektförlust, max)
45W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 64A, Low gate charge
Td(av)
7 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
STripFET™ II Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
50 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics