N-kanals transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

N-kanals transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.44kr
5-24
11.11kr
25-49
9.38kr
50+
8.48kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.16 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 120V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 460pF. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: N. Kostnad): 70pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P14NF12. Pd (effektförlust, max): 60W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP14NF12
27 parametrar
ID (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
14A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.16 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
120V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
460pF
Funktion
Låg inmatningsavgift
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
56A
Kanaltyp
N
Kostnad)
70pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P14NF12
Pd (effektförlust, max)
60W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
32 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics