N-kanals transistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 790pF. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kostnad): 60pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 13NM60N. Pd (effektförlust, max): 90W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24