N-kanals transistor STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 550V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1000pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P12NM50. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24