N-kanals transistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 10uA. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 300W. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 440A. Kanaltyp: N. Kostnad): 785pF. Max dräneringsström: 110A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P120NF10. Pd (effektförlust, max): 312W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 132 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: STripFET™ II Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 152 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24