N-kanals transistor STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1000pF. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 230pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24