N-kanals transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

N-kanals transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.56kr
5-24
18.51kr
25-49
16.73kr
50+
15.31kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 1

N-kanals transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 400V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1250pF. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 42.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 210pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Obs: Viso 2000VDC. Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 10 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP11NB40FP
30 parametrar
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
0.48 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
400V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1250pF
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
42.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
210pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Obs
Viso 2000VDC
Pd (effektförlust, max)
40W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
10 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
PowerMESH MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
400 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP11NB40FP