N-kanals transistor STP10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2180pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zenerdiodskydd. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 205pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P10NK80Z. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 65 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: SuperMESH ™Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 645 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24