N-kanals transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.41kr
5-24
20.16kr
25-49
18.16kr
50-99
16.76kr
100+
14.67kr
Antal i lager: 30

N-kanals transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1370pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-Protected. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 156pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P10NK60ZFP. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP10NK60ZFP
31 parametrar
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
0.65 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1370pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Zener-Protected
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kostnad)
156pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P10NK60ZFP
Pd (effektförlust, max)
35W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
55 ns
Td(på)
20 ns
Teknik
SuperMESH Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
570 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics