N-kanals transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

N-kanals transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
38.99kr
5-9
33.80kr
10-24
30.45kr
25-49
28.46kr
50+
25.36kr
Antal i lager: 44

N-kanals transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5955pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: nej. IDss (min): -. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kostnad): 244pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 100N8F6. Pd (effektförlust, max): 176W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 103 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: STripFET™ F6 technology. Trr-diod (Min.): 38 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP100N8F6
30 parametrar
ID (T=100°C)
70A
ID (T=25°C)
100A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.008 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
5955pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
kopplingskretsar
G-S Skydd
nej
Id(imp)
400A
Kanaltyp
N
Kostnad)
244pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
100N8F6
Pd (effektförlust, max)
176W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
103 ns
Td(på)
33 ns
Teknik
STripFET™ F6 technology
Trr-diod (Min.)
38 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics