N-kanals transistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1350pF. Funktion: snabb effekt MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 175pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: H8NA60FI. Obs: Viso 4000V. Pd (effektförlust, max): 60W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 16 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54