N-kanals transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanals transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
253.99kr
5-9
249.13kr
10-24
245.82kr
25+
244.37kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 16

N-kanals transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 4550pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Högfrekvent drift upp till 50KHz. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 200A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 80A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 350pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GW40NC60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(av): 140 ns. Td(på): 43 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
STGW40NC60V
29 parametrar
Ic(T=100°C)
50A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
4550pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Högfrekvent drift upp till 50KHz
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3.75V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.75V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
200A
Kanaltyp
N
Kollektorström
80A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
350pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
GW40NC60V
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.9V
Pd (effektförlust, max)
260W
RoHS
ja
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(av)
140 ns
Td(på)
43 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STGW40NC60V