N-kanals transistor STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

N-kanals transistor STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
72.31kr
5-14
64.07kr
15-29
57.57kr
30-59
52.41kr
60+
44.93kr
Antal i lager: 33

N-kanals transistor STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2510pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Ic(puls): 135A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 60A. Kostnad): 175pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.75V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GW30NC120HD. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Pd (effektförlust, max): 220W. Produktionsdatum: 201509. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(av): 275 ns. Td(på): 29 ns. Trr-diod (Min.): 35 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
STGW30NC120HD
29 parametrar
Ic(T=100°C)
30A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
2510pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
hög strömkapacitet, hög ingångsimpedans
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3.75V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.75V
Grind/sändarspänning VGE
25V
Ic(puls)
135A
Kanaltyp
N
Kollektorström
60A
Kostnad)
175pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.75V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
GW30NC120HD
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.2V
Pd (effektförlust, max)
220W
Produktionsdatum
201509
RoHS
ja
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(av)
275 ns
Td(på)
29 ns
Trr-diod (Min.)
35 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics