N-kanals transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanals transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
67.98kr
5-14
60.16kr
15-29
55.63kr
30+
51.42kr
Antal i lager: 35

N-kanals transistor STGW20NC60VD, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2200pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: högfrekvensväxelriktare, UPS. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.75V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.75V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 150A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 60A. Kostnad): 225pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GW20NC60VD. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(av): 100 ns. Td(på): 31 ns. Trr-diod (Min.): 44 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
STGW20NC60VD
28 parametrar
Ic(T=100°C)
30A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
2200pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
högfrekvensväxelriktare, UPS
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3.75V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.75V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
150A
Kanaltyp
N
Kollektorström
60A
Kostnad)
225pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.5V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
GW20NC60VD
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.8V
Pd (effektförlust, max)
200W
RoHS
ja
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(av)
100 ns
Td(på)
31 ns
Trr-diod (Min.)
44 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics