N-kanals transistor STGF10NB60SD, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STGF10NB60SD, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.67kr
5-24
31.01kr
25-49
27.81kr
50-99
25.18kr
100+
20.33kr
Antal i lager: 45

N-kanals transistor STGF10NB60SD, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 610pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: ljusdimmer, Statiskt relä, Motordrivrutin. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 100A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 20A. Kostnad): 65pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GF10NB60SD. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.35V. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Lågt spänningsfall (VCE(sat)). Td(av): 1.2 ns. Td(på): 0.7 ns. Teknik: PowerMESH IGBT. Trr-diod (Min.): 50 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
STGF10NB60SD
27 parametrar
Ic(T=100°C)
7A
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
610pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
ljusdimmer, Statiskt relä, Motordrivrutin
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2.5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
100A
Kanaltyp
N
Kollektorström
20A
Kostnad)
65pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
GF10NB60SD
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.35V
Pd (effektförlust, max)
25W
RoHS
ja
Spec info
Lågt spänningsfall (VCE(sat))
Td(av)
1.2 ns
Td(på)
0.7 ns
Teknik
PowerMESH IGBT
Trr-diod (Min.)
50 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics