N-kanals transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
41.12kr
5-24
35.75kr
25-49
30.18kr
50+
27.30kr
Antal i lager: 193

N-kanals transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100mA. Resistans Rds På: 0.63 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 452pF. Funktion: Låg ingångskapacitans och grindladdning. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1mA. Id(imp): 26A. Kanaltyp: N. Kostnad): 30pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 9NM60N. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Td(av): 52.5 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 324 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

STF9NM60N
32 parametrar
ID (T=100°C)
4A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
100mA
Resistans Rds På
0.63 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
452pF
Funktion
Låg ingångskapacitans och grindladdning
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1mA
Id(imp)
26A
Kanaltyp
N
Kostnad)
30pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
9NM60N
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 26A
Td(av)
52.5 ns
Td(på)
28 ns
Teknik
MDmesh™ II Power MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
324 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics