N-kanals transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-kanals transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.50kr
5-24
12.29kr
25-49
10.82kr
50-99
9.73kr
100+
8.24kr
Antal i lager: 37

N-kanals transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 485pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 57pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: F3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

Teknisk dokumentation (PDF)
STF3NK80Z
31 parametrar
ID (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
3.8 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
485pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
kopplingskretsar
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kostnad)
57pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
F3NK80Z
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
36ns
Td(på)
17 ns
Teknik
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
384 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics