N-kanals transistor STF13NM60N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanals transistor STF13NM60N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
30.24kr
5-24
26.34kr
25-49
23.73kr
50-99
22.03kr
100+
19.50kr
Antal i lager: 103

N-kanals transistor STF13NM60N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 790pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kostnad): 60pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 13NM60N. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

Teknisk dokumentation (PDF)
STF13NM60N
32 parametrar
ID (T=100°C)
8.2A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.28 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
790pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kostnad)
60pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
13NM60N
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
3 ns
Teknik
MDmesh™ II Power MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diod (Min.)
300 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics