N-kanals transistor STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V

N-kanals transistor STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V

Kvantitet
Enhetspris
1-9
11.94kr
10-24
10.13kr
25-49
8.91kr
50-99
8.18kr
100+
7.13kr
Antal i lager: 35

N-kanals transistor STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-3. Spänning Vds(max): 525V. Antal kanaler: 1. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 545pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Växla applikationer, grindladdning minimerad, låg IDSS. G-S Skydd: ja. IDss (min): 5uA. Id(imp): 17.6A. Kanaltyp: N. Kostnad): 45pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 5N52K3. Pd (effektförlust, max): 70W. Port-/källspänning Vgs: 30V. Spec info: Enhancement type. Td(av): 29 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: SuperMESH3™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

STD5N52K3
31 parametrar
ID (T=100°C)
2.77A
ID (T=25°C)
4.4A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
1.2 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252-3
Spänning Vds(max)
525V
Antal kanaler
1
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
545pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Växla applikationer, grindladdning minimerad, låg IDSS
G-S Skydd
ja
IDss (min)
5uA
Id(imp)
17.6A
Kanaltyp
N
Kostnad)
45pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
5N52K3
Pd (effektförlust, max)
70W
Port-/källspänning Vgs
30V
Spec info
Enhancement type
Td(av)
29 ns
Td(på)
9 ns
Teknik
SuperMESH3™ Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
240 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics