N-kanals transistor STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50mA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 485pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 75. Kostnad): 57pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: D3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54