N-kanals transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

N-kanals transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.79kr
5-24
25.93kr
25-49
22.77kr
50-99
20.43kr
100+
17.16kr
Antal i lager: 15

N-kanals transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ). Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 790pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kostnad): 70pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 13NM60N. Pd (effektförlust, max): 90W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

STD13NM60N
29 parametrar
ID (T=100°C)
6.93A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
100uA
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK )
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
790pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaltyp
N
Kostnad)
70pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
13NM60N
Pd (effektförlust, max)
90W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
3 ns
Teknik
MDmesh™ II Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
290 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics