N-kanals transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

N-kanals transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.91kr
5-24
10.09kr
25-49
8.85kr
50-99
8.04kr
100+
6.89kr
Antal i lager: 87

N-kanals transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.115 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 470pF. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kostnad): 70pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: D10NF10. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 32 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Låg grindladdning STRipFET™ II Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

Teknisk dokumentation (PDF)
STD10NF10
29 parametrar
ID (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.115 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
470pF
Funktion
SWITCHING APPLICATION
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kostnad)
70pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
D10NF10
Pd (effektförlust, max)
50W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
32 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
Låg grindladdning STRipFET™ II Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
90 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics