N-kanals transistor STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 550V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 850pF. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kostnad): 48pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: B12NM50ND. Pd (effektförlust, max): 100W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med snabb diod). Td(av): 40 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 122 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54