N-kanals transistor STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 3.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Byte av applikationer, Automotive. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kostnad): 650pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 120N4F6. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET™ VI Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54