N-kanals transistor SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1150pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 28A. Kanaltyp: N. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 48W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 72 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power-MOSFET (F). Trr-diod (Min.): 415 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Samsung. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54