N-kanals transistor SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: SPP17N80C2. Pd (effektförlust, max): 208W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Teknik: Cool Mos. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54