N-kanals transistor SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kostnad): 390pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 11N60C3. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 44 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54