N-kanals transistor SPP08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.56 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 46pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 08N60C3. Pd (effektförlust, max): 104W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos POWER trafnsistor. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54