N-kanals transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

N-kanals transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
36.44kr
5-24
31.92kr
25-49
29.20kr
50-99
27.28kr
100+
24.29kr
Antal i lager: 21

N-kanals transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.78 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 785pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kostnad): 33pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 06N80C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

Teknisk dokumentation (PDF)
SPP06N80C3
30 parametrar
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
0.78 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220-3-1
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
785pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
18A
Kanaltyp
N
Kostnad)
33pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
06N80C3
Pd (effektförlust, max)
83W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
72 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diod (Min.)
520 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies