N-kanals transistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 85m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 490pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Kanaltyp: N. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 04N60C3. Pd (effektförlust, max): 50W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Exceptionell dv/dt-kapacitet. Td(av): 58.5 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54