N-kanals transistor SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

N-kanals transistor SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.91kr
5-49
10.67kr
50-99
9.01kr
100+
7.92kr
Antal i lager: 344

N-kanals transistor SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. C(tum): 790pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 112A. Kanaltyp: N. Kostnad): 390pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 28N03L. Pd (effektförlust, max): 75W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 12 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: SIPMOS Power Transistor. Trr-diod (Min.): 32 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54

Teknisk dokumentation (PDF)
SPD28N03L
27 parametrar
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
30A
Idss
100uA
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.023 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
C(tum)
790pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
logisk nivå grindad MOSFET transistor
Id(imp)
112A
Kanaltyp
N
Kostnad)
390pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
28N03L
Pd (effektförlust, max)
75W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
12 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
SIPMOS Power Transistor
Trr-diod (Min.)
32 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1.6V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies