N-kanals transistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V

N-kanals transistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.29kr
5-24
30.50kr
25-49
27.47kr
50-99
25.43kr
100+
22.59kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 87

N-kanals transistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 560V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 750pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 22.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 350pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 08N50C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SPD08N50C3
31 parametrar
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.6A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.50 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
560V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
750pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
"Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans"
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
22.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
350pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
08N50C3
Pd (effektförlust, max)
83W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
60 ns
Td(på)
6 ns
Teknik
Cool Mos POWER transistor
Trr-diod (Min.)
370 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för SPD08N50C3