N-kanals transistor SP0010-91630, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-kanals transistor SP0010-91630, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
443.97kr
5-9
419.85kr
10-19
399.94kr
20-29
384.63kr
30+
362.29kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 30

N-kanals transistor SP0010-91630, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 8180pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ökad MOSFET dv/dt robusthet. G-S Skydd: nej. IDss (min): 5uA. Id(imp): 267A. Kanaltyp: N. Kostnad): 310pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 6R041P6. Pd (effektförlust, max): 481W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 90 ns. Td(på): 29 ns. Teknik: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

SP0010-91630
31 parametrar
ID (T=100°C)
49A
ID (T=25°C)
77.5A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.041 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
8180pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ökad MOSFET dv/dt robusthet
G-S Skydd
nej
IDss (min)
5uA
Id(imp)
267A
Kanaltyp
N
Kostnad)
310pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
6R041P6
Pd (effektförlust, max)
481W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
90 ns
Td(på)
29 ns
Teknik
CoolMOS ™ P6 Power Transistor
Trr-diod (Min.)
630 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för SP0010-91630