N-kanals transistor SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V

N-kanals transistor SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
269.39kr
5-9
250.22kr
10-24
236.78kr
25+
227.67kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1150pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Germanium diod: -. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 84A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 46A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 120pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K25N120. Mättnadsspänning VCE(lat): 3.1V. Pd (effektförlust, max): 313W. RoHS: ja. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Td(av): 730 ns. Td(på): 45 ns. Trr-diod (Min.): 280 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
SKW25N120
28 parametrar
Ic(T=100°C)
20A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
1150pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
84A
Kanaltyp
N
Kollektorström
46A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
120pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K25N120
Mättnadsspänning VCE(lat)
3.1V
Pd (effektförlust, max)
313W
RoHS
ja
Spec info
Td(on) 50ns / Td(off) 820ns
Td(av)
730 ns
Td(på)
45 ns
Trr-diod (Min.)
280 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies