N-kanals transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-kanals transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
81.04kr
5-9
73.67kr
10-24
64.96kr
25+
61.39kr
Antal i lager: 93

N-kanals transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1100pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb S-IGBT i NPT-teknik. Germanium diod: -. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 80A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Kostnad): 107pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Pd (effektförlust, max): 179W. RoHS: ja. Spec info: K20N60. Td(av): 445 ns. Td(på): 36ns. Trr-diod (Min.): 300 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
SKW20N60
25 parametrar
Ic(T=100°C)
20A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
1100pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb S-IGBT i NPT-teknik
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
80A
Kanaltyp
N
Kollektorström
40A
Kostnad)
107pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.4V
Pd (effektförlust, max)
179W
RoHS
ja
Spec info
K20N60
Td(av)
445 ns
Td(på)
36ns
Trr-diod (Min.)
300 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies