N-kanals transistor SKM400GB126D, 330A, andra, andra, 1200V

Kvantitet

Enhetspris

1-3

4128.07kr

4-7

3940.05kr

8-19

3800.43kr

20-49

3682.82kr

50+

3501.32kr

Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 7

N-kanals transistor SKM400GB126D, 330A, andra, andra, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 7. C(tum): 23.1pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+125°C. Funktion: Hög effekt IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 600A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 470A. Kostnad): 1.9pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Mått: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(av): 650 ns. Td(på): 330 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Semikron. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:42

SKM400GB126D

26 parametrar

Ic(T=100°C)

330A

Hölje

andra

Hölje (enligt datablad)

andra

Kollektor-/emitterspänning Vceo

1200V

Antal terminaler

C(tum)

23.1pF

CE-diod

Driftstemperatur

-40...+125°C

Funktion

Hög effekt IGBT

Germanium diod

nej

Grind/sändarspänning VGE(th) min.

Grind/sändarspänning VGE(th)max.

6.5V

Grind/sändarspänning VGE

20V

Ic(puls)

600A

Kanaltyp

Kollektorström

470A

Kostnad)

1.9pF

Maximal mättnadsspänning VCE(sat)

2.15V

Montering/installation

Genomgående hålmontering på kretskort

Mättnadsspänning VCE(lat)

1.7V

Mått

106.4x61.4x30.5mm

RoHS

Spec info

IFSM--2200Ap (t=10ms)

Td(av)

650 ns

Td(på)

330 ns

Originalprodukt från tillverkaren

Semikron