N-kanals transistor SKM100GAR123D, 90A, andra, andra, 600V

Kvantitet

Enhetspris

1-2

1250.02kr

3-7

1213.61kr

8-15

1148.36kr

16+

1089.64kr

Slut i lager
Få ett meddelande via e-post när denna produkt finns i lager igen!

N-kanals transistor SKM100GAR123D, 90A, andra, andra, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 7. C(tum): 5000pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Hög effekt IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 150A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 100A. Kostnad): 720pF. Montering/installation: -. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Obs: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(av): 450 ns. Td(på): 30 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Semikron. Antal i lager uppdaterad den 29/09/2025, 21:55

Teknisk dokumentation (PDF)

SKM100GAR123D

24 parametrar

Ic(T=100°C)

90A

Hölje

andra

Hölje (enligt datablad)

andra

Kollektor-/emitterspänning Vceo

600V

Antal terminaler

C(tum)

5000pF

CE-diod

Driftstemperatur

-55...+150°C

Funktion

Hög effekt IGBT

Germanium diod

nej

Grind/sändarspänning VGE(th) min.

4.5V

Grind/sändarspänning VGE(th)max.

6.5V

Grind/sändarspänning VGE

20V

Ic(puls)

150A

Kanaltyp

Kollektorström

100A

Kostnad)

720pF

Mättnadsspänning VCE(lat)

2.3V

Obs

Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz)

RoHS

Spec info

Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed)

Td(av)

450 ns

Td(på)

30 ns

Originalprodukt från tillverkaren

Semikron