N-kanals transistor SKM100GAR123D, 90A, andra, andra, 600V

Teknisk beskrivning av produkten (SKM100GAR123D):

N-kanals transistor SKM100GAR123D, 90A, andra, andra, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 7. C(tum): 5000pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Hög effekt IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 150A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 100A. Kostnad): 720pF. Montering/installation: -. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Obs: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(av): 450 ns. Td(på): 30 ns